发明名称 |
纳米单离子导体的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种纳米单离子导体的制备方法,包括通过水解反应制备纳米溶胶的溶液,该纳米溶胶选自钛溶胶、铝溶胶、硅溶胶及锆溶胶中的至少一种;加入含有C=C基团的硅烷偶联剂,在保护性气体中加热,反应得到C=C基团接枝的纳米溶胶的溶液;在所述C=C基团接枝的纳米溶胶的溶液中加入甲基丙烯酸甲酯单体、丙烯酸单体以及引发剂并加热,反应得到纳米溶胶‑P(AA‑MMA)复合体;在高压反应釜的液相介质中加热并加压进行反应,加热温度为145°C~200°C,压力为1MPa~2MPa,得到完全脱羟基结晶型氧化物纳米颗粒‑P(AA‑MMA)复合体,该氧化物纳米颗粒为钛、铝、硅及锆的氧化物中的至少一种;以及将该氧化物纳米颗粒‑P(AA‑MMA)及氢氧化锂加入有机溶剂中混合并加热,得到该纳米单离子导体的透明澄清分散液。 |
申请公布号 |
CN104327285B |
申请公布日期 |
2017.01.25 |
申请号 |
CN201410430209.1 |
申请日期 |
2014.08.28 |
申请人 |
江苏华东锂电技术研究院有限公司;清华大学 |
发明人 |
曹江;何向明;尚玉明;王莉;李建军;张宏生;王要武;高剑;罗晶 |
分类号 |
C08J3/11(2006.01)I;C08L51/10(2006.01)I;C08F292/00(2006.01)I;C08F220/06(2006.01)I;C08F220/14(2006.01)I;C08F8/44(2006.01)I;H01M2/16(2006.01)I |
主分类号 |
C08J3/11(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 |
代理人 |
哈达 |
主权项 |
一种纳米单离子导体的制备方法,其包括以下步骤:S1,通过水解反应制备纳米溶胶的溶液,该纳米溶胶选自钛溶胶、铝溶胶、硅溶胶及锆溶胶中的至少一种,包括以下步骤:S11,将可发生水解反应的钛、铝、硅及锆的化合物中的至少一种溶于有机溶剂,形成第一溶液;S12,将水与有机溶剂混合,形成第二溶液;以及S13,将第一溶液与第二溶液混合并加热,形成所述纳米溶胶的溶液,并且该步骤S12或S13进一步包括通过加酸或加碱调节pH值在3~4或9~10;S2,在所述纳米溶胶的溶液中加入含有C=C基团的硅烷偶联剂,在保护性气体中加热,反应得到C=C基团接枝的纳米溶胶的溶液;S3,在所述C=C基团接枝的纳米溶胶的溶液中加入甲基丙烯酸甲酯单体、丙烯酸单体以及引发剂并加热,反应得到纳米溶胶‑P(AA‑MMA)复合体;S4,将该纳米溶胶‑P(AA‑MMA)复合体在高压反应釜的液相介质中加热并加压进行反应,加热温度为145℃~200℃,压力为1MPa~2MPa,得到完全脱羟基结晶型氧化物纳米颗粒‑P(AA‑MMA)复合体,该氧化物纳米颗粒为钛、铝、硅及锆的氧化物中的至少一种;以及S5,将该氧化物纳米颗粒‑P(AA‑MMA)及氢氧化锂加入有机溶剂中混合并加热,得到该纳米单离子导体的透明澄清分散液。 |
地址 |
215699 江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路 |