发明名称 一种用于薄膜电容外观缺陷检测的图像处理方法
摘要 本发明涉及一种用于薄膜电容外观缺陷检测的图像处理方法。目前生产商在制造薄膜电容过程中,由于工艺原因电容表面会出现凹凸不平、毛刺、留白、边缘突起等缺陷。传统方法采用人工目测对电容表面缺陷进行检测,其检测过程劳动强度大而且效率低。本发明首先利用目标前景提取剔除不必要的背景,通过水平垂直投影得到目标电容区域,然后进行边缘检测与梯度检测。本发明的复杂度低,运行速度快,可以满足生产线的实时检测需要,具有适应性强,检测精度高的优点。
申请公布号 CN104359920B 申请公布日期 2017.01.25
申请号 CN201410659951.X 申请日期 2014.11.18
申请人 杭州电子科技大学 发明人 杨宇翔;高明煜;刘秀;严志超;曾毓;黄继业;何志伟
分类号 G01N21/95(2006.01)I;G06T7/00(2006.01)I 主分类号 G01N21/95(2006.01)I
代理机构 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人 杜军
主权项 一种用于薄膜电容外观缺陷检测的图像处理方法,主要由目标前景提取、边缘形状检测和梯度检测组成,其特征在于:假设f(x,y)代表采集到的大小为M×N的电容图像,用f<sub>1</sub>(x,y)、f<sub>2</sub>(x,y)、f<sub>3</sub>(x,y)分别表示f(x,y)的R、G、B通道图像;其具体步骤是:步骤(1):根据前景电容和背景在R、G、B通道上的差异,将未超过阈值的点赋值成黑点,从而分割出目标前景;具体计算公式如下:<maths num="0001"><math><![CDATA[<mrow><mi>f</mi><mrow><mo>(</mo><mi>x</mi><mo>,</mo><mi>y</mi><mo>)</mo></mrow><mo>=</mo><mfenced open = "{" close = ""><mtable><mtr><mtd><mn>0</mn></mtd><mtd><mrow><mi>i</mi><mi>f</mi><mi> </mi><msub><mi>f</mi><mn>1</mn></msub><mrow><mo>(</mo><mi>x</mi><mo>,</mo><mi>y</mi><mo>)</mo></mrow><mo>&lt;</mo><msub><mi>T</mi><mn>1</mn></msub><mi>o</mi><mi>r</mi><mi> </mi><msub><mi>f</mi><mn>2</mn></msub><mrow><mo>(</mo><mi>x</mi><mo>,</mo><mi>y</mi><mo>)</mo></mrow><mo>&lt;</mo><msub><mi>T</mi><mn>2</mn></msub><mi>o</mi><mi>r</mi><mi> </mi><msub><mi>f</mi><mn>3</mn></msub><mrow><mo>(</mo><mi>x</mi><mo>,</mo><mi>y</mi><mo>)</mo></mrow><mo>&lt;</mo><msub><mi>T</mi><mn>3</mn></msub></mrow></mtd></mtr><mtr><mtd><mrow><mi>f</mi><mrow><mo>(</mo><mi>x</mi><mo>,</mo><mi>y</mi><mo>)</mo></mrow></mrow></mtd><mtd><mrow><mi>e</mi><mi>l</mi><mi>s</mi><mi>e</mi></mrow></mtd></mtr></mtable></mfenced><mo>;</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0001101465500000011.GIF" wi="1173" he="167" /></maths>其中T<sub>1</sub>,T<sub>2</sub>,T<sub>3</sub>分别为R、G、B通道的颜色阈值;步骤(2):将f<sub>1</sub>(x,y)同一行上的值相加,得到各行的和向量G(x),然后进行如下操作:2‑1:将i从0开始递增到M,若出现G(i)大于阈值η,则标记此时的i为目标电容的上边界x<sub>0</sub>,跳至下一步骤;反之i继续递增,继续判断G(i);2‑2:将i从x<sub>0</sub>开始递增到M,若出现G(i)小于阈值η,则标记此时的i为目标电容的下边界x<sub>1</sub>;反之i继续递增,继续判断G(i);步骤(3):将f<sub>1</sub>(x,y)的同一列的值相加得到各列的和向量G(y),然后进行如下操作:3‑1:将j从0开始递增到N,若出现G(j)大于阈值η,则标记此时的j为目标电容的左边界y<sub>0</sub>,跳至下一步骤;反之j继续递增,继续判断G(j);3‑2:将j从y<sub>0</sub>开始递增到N,若出现G(j)小于阈值η,则标记此时的j为目标电容的右边界y<sub>1</sub>;反之j继续递增,继续判断G(j);由上述步骤提取得到以(x<sub>0</sub>,y<sub>0</sub>),(x<sub>0</sub>,y<sub>1</sub>),(x<sub>1</sub>,y<sub>0</sub>),(x<sub>1</sub>,y<sub>1</sub>)为顶点的目标电容区域;步骤(4):对提取到的目标电容区域进行边缘形状缺陷检测:4‑1:统计以(x<sub>0</sub>,y<sub>0</sub>),(x<sub>0</sub>,y<sub>0</sub>+n),(x<sub>1</sub>,y<sub>0</sub>),(x<sub>1</sub>,y<sub>0</sub>+n)为顶点的区域内f<sub>1</sub>(x,y)=0的点的个数,记个数为S<sub>1</sub>;4‑2:统计以(x<sub>0</sub>,y<sub>1</sub>‑n),(x<sub>0</sub>,y<sub>1</sub>),(x<sub>1</sub>,y<sub>1</sub>‑n),(x<sub>1</sub>,y<sub>1</sub>)为顶点的区域内满足f<sub>1</sub>(x,y)=0的点的个数,记个数为S<sub>2</sub>;4‑3:统计以(x<sub>0</sub>,y<sub>0</sub>),(x<sub>0</sub>+m,y<sub>0</sub>),(x<sub>0</sub>,y<sub>1</sub>),(x<sub>0</sub>+m,y<sub>1</sub>)为顶点的区域内满足f<sub>1</sub>(x,y)=0的点的个数,记个数为S<sub>3</sub>;4‑4:统计以(x<sub>1</sub>‑m,y<sub>0</sub>),(x<sub>1</sub>,y<sub>0</sub>),(x<sub>1</sub>‑m,y<sub>1</sub>),(x<sub>1</sub>,y<sub>1</sub>)为顶点的区域内满足f<sub>1</sub>(x,y)=0的点的个数,记个数为S<sub>4</sub>;若S<sub>1</sub>,S<sub>2</sub>,S<sub>3</sub>,S<sub>4</sub>满足如下公式,则判定该电容的边缘存在形状缺陷;反之,继续执行下一步骤;<maths num="0002"><math><![CDATA[<mrow><mi>m</mi><mi>a</mi><mi>x</mi><mo>{</mo><mfrac><msub><mi>S</mi><mn>1</mn></msub><mrow><mo>(</mo><msub><mi>x</mi><mn>1</mn></msub><mo>-</mo><msub><mi>x</mi><mn>0</mn></msub><mo>)</mo><mo>&times;</mo><mi>n</mi></mrow></mfrac><mo>,</mo><mfrac><msub><mi>S</mi><mn>2</mn></msub><mrow><mo>(</mo><msub><mi>x</mi><mn>1</mn></msub><mo>-</mo><msub><mi>x</mi><mn>0</mn></msub><mo>)</mo><mo>&times;</mo><mi>n</mi></mrow></mfrac><mo>,</mo><mfrac><msub><mi>S</mi><mn>3</mn></msub><mrow><mo>(</mo><msub><mi>y</mi><mn>1</mn></msub><mo>-</mo><msub><mi>y</mi><mn>0</mn></msub><mo>)</mo><mo>&times;</mo><mi>m</mi></mrow></mfrac><mo>,</mo><mfrac><msub><mi>S</mi><mn>4</mn></msub><mrow><mo>(</mo><msub><mi>y</mi><mn>1</mn></msub><mo>-</mo><msub><mi>y</mi><mn>0</mn></msub><mo>)</mo><mo>&times;</mo><mi>m</mi></mrow></mfrac><mo>}</mo><mo>&gt;</mo><mi>&alpha;</mi><mo>;</mo></mrow>]]></math><img file="FDA0001101465500000021.GIF" wi="1364" he="151" /></maths>其中n为目标电容区域左右边缘宽度的1/4,m为目标电容区域上下边缘高度的1/4,α为检测阈值;步骤(5):对提取到的目标电容区域进行高斯滤除,去除噪声;采用如下公式,滤波后的三通道图像记为g(x,y):g(x,y)=H*f(x,y);其中H表示一个5×5的高斯核函数,*表示卷积;步骤(6):对滤波后的目标电容图像g(x,y)做梯度检测;6‑1:根据如下公式计算梯度公式g′(x,y)=|g′<sub>x</sub>|+|g′<sub>y</sub>|;其中g′<sub>x</sub>=g(x+1,y)‑g(x,y),g′<sub>y</sub>=g(x,y+1)‑g(x,y);6‑2:对g′(x,y)做阈值处理,若g′(x,y)小于阈值β,将其值赋为0,反之,则g′(x,y)保持不变;6‑3:最后统计g′(x,y)内非0点的总个数,若总个数大于阈值T,则判定该电容的表面存在缺陷,反之则判定该电容的表面不存在缺陷。
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