| 发明名称 | 气体供给喷嘴、衬底处理装置及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及气体供给喷嘴、衬底处理装置及半导体器件的制造方法。本发明提供能够提高衬底间的膜厚均匀性的技术。本发明提供一种技术，其具有：喷嘴基端部，其以沿铅垂方向延伸的方式设置于对衬底进行处理的处理室内，并供对所述衬底进行处理的处理气体导入；喷嘴前端部，其呈U字状构成，并在靠所述衬底侧的侧面设置有将所述处理气体供给至所述处理室内的气体供给孔；和气体滞留抑制孔，其设置于所述喷嘴前端部的下游端，并具有比所述气体供给孔大的直径。 | ||
| 申请公布号 | CN106356289A | 申请公布日期 | 2017.01.25 |
| 申请号 | CN201610526212.2 | 申请日期 | 2016.07.05 |
| 申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 高木康祐;笹岛亮太;小仓慎太郎;赤江尚德;山腰莉早;藤野敏树;寺崎昌人;南政克 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军;李国卿 |
| 主权项 | 一种气体供给喷嘴，其具有：喷嘴基端部，其以沿铅垂方向延伸的方式设置于对衬底进行处理的处理室内，并供对所述衬底进行处理的处理气体导入；喷嘴前端部，其呈U字状构成，并在靠所述衬底侧的侧面设置有将所述处理气体供给至所述处理室内的气体供给孔；和气体滞留抑制孔，其设置于所述喷嘴前端部的下游端，并具有比所述气体供给孔大的直径。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||