| 摘要 |
수직 채널 트랜지스터를 구비한 반도체 소자의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은, 기판의 상면으로부터 제1 깊이를 가지고 제1 방향으로 연장되는 라인 형상의 복수의 제1 소자분리막들을 상기 기판에 형성하여, 상기 제1 방향으로 연장되는 라인 형상의 복수의 활성 영역을 정의하는 단계; 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 연장되고 상기 제1 깊이보다 작은 제2 깊이를 가지며 제1 폭을 가지는 복수의 트렌치들을 형성하는 단계; 상기 복수의 트렌치들 중 일정 간격을 따라 선택되는 상기 복수의 트렌치들의 저면의 상기 기판을 식각하여 상기 제2 깊이보다 큰 제3 깊이를 가지는 복수의 소자분리용 트렌치들을 형성하는 단계; 상기 복수의 소자분리용 트렌치들의 하부에 절연 물질을 포함하는 제2 소자분리막을 형성하는 단계; 및 상기 복수의 트렌치들 및 상기 복수의 소자분리용 트렌치들의 저면에 매몰 비트 라인을 형성하는 단계;를 포함한다. |
