发明名称 |
一种制备高均匀性表面增强拉曼活性基底的方法 |
摘要 |
本发明实施例提供一种制备高均匀性表面增强拉曼活性基底的方法,所述方法包括:在有序铝纳米碗OAB阵列模板样品表面热蒸镀第一预设厚度的银薄膜;将所述OAB阵列模板样品放入原子层沉积腔中加热至250℃,使银薄膜固态脱湿以形成有序的银纳米球阵列;在所述原子层沉积腔中通入前驱体三甲基铝和水,在银纳米球颗粒表面沉积第二预设厚度的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜,得到Ag‑Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>核壳纳米球阵列结构;将所述Ag‑Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>核壳纳米球阵列结构从所述原子层沉积腔中取出,在其表面再热蒸镀第三预设厚度的银薄膜,以形成有序Ag‑Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>‑Ag核壳纳米球阵列结构,从而作为表面拉曼增强活性基底,以检测探针分子的拉曼信号。上述技术方案实现大面积制备有序超高密度的贵金属纳米结构阵列,作为表面拉曼增强活性基底。 |
申请公布号 |
CN106353296A |
申请公布日期 |
2017.01.25 |
申请号 |
CN201610657600.4 |
申请日期 |
2016.08.11 |
申请人 |
华南师范大学 |
发明人 |
张璋;曾志强;苏绍强;高兴森 |
分类号 |
G01N21/65(2006.01)I |
主分类号 |
G01N21/65(2006.01)I |
代理机构 |
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 |
代理人 |
胡剑辉 |
主权项 |
一种制备高均匀性表面增强拉曼活性基底的方法,其特征在于,所述方法包括:在有序铝纳米碗OAB阵列模板样品表面热蒸镀第一预设厚度的银薄膜;将所述OAB阵列模板样品放入原子层沉积腔中加热至250℃,使银薄膜固态脱湿以形成有序的银纳米球阵列;在所述原子层沉积腔中通入前驱体三甲基铝和水,在银纳米球颗粒表面沉积第二预设厚度的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜,得到Ag‑Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>核壳纳米球阵列结构;将所述Ag‑Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>核壳纳米球阵列结构从所述原子层沉积腔中取出,在其表面再热蒸镀第三预设厚度的银薄膜,以形成有序Ag‑Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>‑Ag核壳纳米球阵列结构,从而作为表面拉曼增强活性基底,以检测探针分子的拉曼信号。 |
地址 |
510631 广东省广州市天河区中山大道55号 |