| 摘要 |
L'invention concerne un substrat germe de diamant monocristallin, pour la croissance homoépitaxiale de diamant par dépôt chimique en phase vapeur, présentant un corps constitué : - d'une paroi inférieure servant d'appui sur la base ou porte-substrat d'un réacteur, et - d'une ou de plusieurs parois extérieures latérales, et d'une ou de plusieurs parois extérieures supérieures sur lesquelles la croissance homoépitaxiale est réalisée, caractérisé en ce que l'intérieur du corps est ajouré par une ouverture traversante s'étendant entre la ou les parois supérieures et la paroi inférieure, délimitant ainsi une ou plusieurs parois intérieures sur lesquelles la croissance homoépitaxiale est également réalisée, l'ouverture traversante présentant une largeur d'au moins 0,5 mm. |
