半導体装置およびその製造方法

摘要

半導体チップ１が接合部材２ａ、２ｂを介して導電部材３ａ、３ｂに電気的に接続された実装構造を有する半導体装置の熱抵抗の低減と熱変形吸収性の向上を両立させるため、接合部材２ａ、２ｂは、半導体チップ１に近い側から順に、ナノオーダーサイズを有する複数のスプリングで構成されるナノスプリング層４と、前記複数のスプリングを支持する平面層５と、接合層６とを備えた積層構造を有し、ナノスプリング層４の厚さは、接合層６の厚さよりも大きく、接合層６の厚さは、平面層５の厚さよりも大きい。