发明名称 |
一种存储器读取方法及读取系统 |
摘要 |
本发明公开了一种存储器的数据读取方法及数据读取系统,该数据读取方法包括:在进行数据读取的第一时间段为待读取存储单元的字线提供预读取电压;在进行数据读取的第二时间段为所述待读取存储单元的字线提供读取电压;其中,所述第一时间段先于所述第二时间段;所述预读取电压大于NMOS的阈值电压,且小于读取电压;所述读取电压为使得所述NMOS工作在线性区的电压。所述读取方法避免了误写入操作。 |
申请公布号 |
CN106340320A |
申请公布日期 |
2017.01.18 |
申请号 |
CN201510415294.9 |
申请日期 |
2015.07.15 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
龙爽;陈岚;陈巍巍 |
分类号 |
G11C11/413(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/413(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
王宝筠 |
主权项 |
一种存储器的数据读取方法,所述存储器包括:具有多个存储单元的存储单元阵列、字线以及位线,其特征在于,所述读取方法包括:在进行数据读取的第一时间段为待读取存储单元的字线提供预读取电压;在进行数据读取的第二时间段为所述待读取存储单元的字线提供读取电压;其中,所述第一时间段先于所述第二时间段;所述预读取电压大于NMOS的阈值电压,且小于读取电压;所述读取电压为使得所述NMOS工作在线性区的电压。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |