| 发明名称 | 半导体晶片用保护薄膜及半导体芯片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种半导体晶片用保护薄膜，其特征在于，其具备基材薄膜与形成于该基材薄膜的上侧的保护膜，并且，前述保护膜含有下述(A)～(E)成分：(A)选自由苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、及(甲基)丙烯酸树脂所组成的群组中的至少一种：100质量份；(B)环氧树脂：5～200质量份；(C)纤维状无机填充材料以外的填充材料：100～400质量份；(D)环氧树脂固化催化剂：催化剂量；及(E)纤维状无机填充材料：25～5000质量份。由此，提供一种切断特性优异的半导体晶片用保护薄膜及生产率较高的半导体芯片的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104137229B | 申请公布日期 | 2017.01.18 |
| 申请号 | CN201380009159.3 | 申请日期 | 2013.01.24 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 市六信広 |
| 分类号 | H01L21/301(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I;C09J11/04(2006.01)I;C09J133/00(2006.01)I;C09J163/00(2006.01)I;C09J171/10(2006.01)I;C09J179/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/301(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张永康;李英艳 |
| 主权项 | 一种半导体晶片用保护薄膜，其特征在于，其具备基材薄膜与形成于该基材薄膜的上侧的保护膜，并且，前述保护膜由补强层与粘着层所构成，前述粘着层含有下述A～D成分而成，前述补强层含有下述E成分而成，且前述补强层倾斜地进行配置：A.选自由苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、及(甲基)丙烯酸树脂所组成的群组中的至少一种：100质量份；B.环氧树脂：5～200质量份；C.纤维状无机填充材料以外的填充材料：100～400质量份；D.环氧树脂固化催化剂：相对于100质量份所述B成分的环氧树脂为0.1～20质量份；E.网眼状的纤维状无机填充材料：25～5000质量份。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||