发明名称 半導体記憶装置及びその製造方法
摘要 【課題】データ保持特性が良好な半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体記憶装置は、基板と、前記基板上に設けられ、上下方向に延びる半導体ピラーと、前記半導体ピラーの側方に設けられ、第1方向に延び、前記上下方向に沿って相互に離隔して配置された複数枚の第1電極膜と、前記半導体ピラーと前記第1電極膜との間に設けられ、前記上下方向に沿って相互に離隔して配置された複数の第2電極膜と、前記半導体ピラーと前記第2電極膜との間に設けられた第1絶縁膜と、前記第2電極膜と前記第1電極膜との間に設けられた第2絶縁膜と、を備える。【選択図】図1
申请公布号 JP2017010951(A) 申请公布日期 2017.01.12
申请号 JP20140003793 申请日期 2014.01.10
申请人 株式会社東芝 发明人 坂本 渉;鈴木 亮太;岡本 達也;加藤 竜也
分类号 H01L27/115;H01L21/336;H01L27/10;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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