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【課題】遷移金属ダイカルコゲナイドとそれに接続される金属との間の接触抵抗の増大を抑えた電子装置を実現する。【解決手段】遷移金属ダイカルコゲナイド２は、その一部２ａに、少なくとも１つの遷移金属原子Ｔ１が露出する。遷移金属ダイカルコゲナイド２のその遷移金属原子Ｔ１が露出する一部２ａに、金属の電極３が積層される。遷移金属ダイカルコゲナイド２の、その一部２ａに露出する遷移金属原子Ｔ１と、積層される電極３の金属原子Ｍとの間に、金属−金属結合４が形成され、遷移金属ダイカルコゲナイド２と電極３とが、接触抵抗の増大が抑えられて接続される。【選択図】図５ |
