发明名称 Kapazitive mikroelektromechanische Vorrichtung und Verfahren zum Ausbilden einer kapazitiven mikroelektromechanischen Vorrichtung
摘要 Eine schematische Veranschaulichung einer kapazitiven mikroelektromechanischen Vorrichtung 2 wird gezeigt. Die kapazitive mikroelektromechanische Vorrichtung 2 umfasst ein Halbleitersubstrat 4, eine Stützstruktur 6, ein Elektrodenelement 8, ein Federelement 10 und eine seismische Masse 12. Die Stützstruktur 6, beispielsweise eine Stange, eine Aufhängung oder ein Pfosten, ist fest mit dem Halbleitersubstrat 4 verbunden, welches Silizium umfassen kann. Das Elektrodenelement 8 ist fest mit der Stützstruktur 6 verbunden. Darüber hinaus ist die seismische Masse 12 über das Federelement 10 mit der Stützstruktur 6 verbunden, so dass die seismische Masse 12 in Bezug auf das Elektrodenelement 8 verschiebbar, auslenkbar oder beweglich ist. Darüber hinaus bilden die seismische Masse und das Elektrodenelement einen Kondensator mit einer Kapazität aus, welche von einer Verschiebung zwischen der seismischen Masse und dem Elektrodenelement abhängt.
申请公布号 DE102015212669(A1) 申请公布日期 2017.01.12
申请号 DE201510212669 申请日期 2015.07.07
申请人 Infineon Technologies AG 发明人 Kautzsch, Thoralf;Froehlich, Heiko;Vogt, Mirko;Stegemann, Maik;Winkler, Bernhard;Röth, Andre;Bieselt, Steffen
分类号 B81B7/02;B81B3/00;B81C1/00;G01P15/125 主分类号 B81B7/02
代理机构 代理人
主权项
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