炭化珪素半導体のエピタキシャル成長装置

摘要

【課題】ＳｉＣ半導体のエピタキシャル成長時のＡｌのドーピング濃度を安定化する装置を提供する。【解決手段】第１ガス導入管４と第２ガス導入管５を分け、Ａｌが含まれるｐ型不純物のドーパントガスが導入される第２ガス導入管５側にＡｌを除去できるエッチングガスを導入する。これにより、第２ガス導入管５の内壁面にＡｌが付着しようとしても、エッチングガスによって除去され、Ａｌの付着を抑制できる。付着したＡｌの再蒸発や剥がれを抑制し、エピタキシャル成長するＳｉＣ半導体層１０中に余分なＡｌが取り込まれることを抑制する。【選択図】図１