| 摘要 |
【課題】リーク電流の増加を抑制するとともに、電気的損失を低減させ、かつ良品率を向上させることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】まず、ｎ-型ドリフト層１となるｎ-型半導体基板のおもて面に、ＦＳ構造のＲＣ−ＩＧＢＴのおもて面素子構造を形成する。次に、ｎ-型半導体基板の裏面にｐ+型コレクタ領域１０、ｎ+型カソード領域１１およびｎ+型ＦＳ層１２を形成する。ｎ+型ＦＳ層１２はセレンを用いて形成される。次に、ｎ-型半導体基板の裏面から軽イオンを照射し、ｎ-型ドリフト層１の内部に第１低ライフタイム領域３１を形成する。次に、ｎ-型半導体基板の裏面から軽イオンを照射し、ｎ+型ＦＳ層１２の内部に第２低ライフタイム領域３２を形成する。次に、アニール処理により、ｎ+型ＦＳ層１２内部の結晶欠陥の欠陥密度を低減する。【選択図】図１ |
