一种半导体器件和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件和电子装置，涉及半导体技术领域。所述半导体器件包括：P型半导体衬底；第一N阱、第二N阱和P阱，设置于P型半导体衬底内，P阱位于第一N阱和第二N阱之间，并分别与第一N阱和第二N阱相邻接；具有第一导电类型的第一注入区，位于第一N阱内；具有第二导电类型的第二注入区，位于第一N阱和P阱的交界区域，且与第一注入区间隔设置；第三N+注入区，位于第二N阱和P阱的交界区域，且与第二注入区间隔设置；第四P+注入区，位于第二N阱内，且与第三N+注入区间隔设置；栅极结构，位于第二注入区和第三N+注入区之间的半导体衬底的表面上。本发明的半导体器件具有更高的维持电压以及相对较小的衬底面积消耗。

主权项

一种半导体器件，包括：P型半导体衬底；第一N阱、第二N阱和P阱，设置于所述P型半导体衬底内，所述P阱位于所述第一N阱和所述第二N阱之间，并分别与所述第一N阱和所述第二N阱相邻接；具有第一导电类型的第一注入区，位于所述第一N阱内；具有第二导电类型的第二注入区，位于所述第一N阱和所述P阱的交界区域，且与所述第一注入区间隔设置；第三N+注入区，位于所述第二N阱和所述P阱的交界区域，且与所述第二注入区间隔设置；第四P+注入区，位于所述第二N阱内，且与所述第三N+注入区间隔设置；栅极结构，位于所述第二注入区和所述第三N+注入区之间的所述半导体衬底的表面上；其中，所述第三N+注入区和所述第二注入区位于所述P阱内的部分与所述栅极结构构成NMOS结构。