| 发明名称 | 包括直接邻接台面区段和场电极的接触结构的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包括直接邻接台面区段和场电极的接触结构的半导体器件。一种半导体器件包括栅结构（150），其从第一表面（101）延伸到半导体部分（100）中并且围绕半导体部分（100）的晶体管区段（TS）。场板结构（160）包括场电极（165）并且从第一表面（101）延伸到晶体管区段（TS）中。半导体部分（100）的台面区段（170）分离场板结构（160）和栅结构（150）。接触结构（315）包括直接邻接台面区段（170）的第一部分（315a）和直接邻接场电极（165）的第二部分（315b）。第一和第二部分（315a、315b）包括条并直接连接到彼此。 | ||
| 申请公布号 | CN106328596A | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201610499507.5 | 申请日期 | 2016.06.30 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | D.拉福雷;E.施瓦茨;B.魏斯尼希特 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;杜荔南 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：栅结构（150），其从第一表面（101）延伸到半导体部分（100）中并且围绕半导体部分（100）的晶体管区段（TS）；场板结构（160），其从第一表面（101）延伸到晶体管区段（TS）中并且包括场电极（165）；半导体部分（100）的台面区段（170），其分离场板结构（160）和栅结构（150）；以及接触结构（315），其中接触结构包括直接邻接台面区段（170）的第一部分（315a）和直接邻接场电极（165）的第二部分（315b），并且其中第一和第二部分（315a、315b）包括条并直接连接到彼此。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||