发明名称 带有复合介质薄膜的F-P压力传感器
摘要 本发明公开的一种带有复合介质薄膜的F-P压力传感器,包括制有F-P谐振腔的上插芯,与上插芯轴向固联为一体的下插芯和插入所述下插芯的光纤,以及覆盖在所述F-P谐振腔端口的压力膜片。在所述的压力膜片背面以及所述F-P谐振腔凹槽底部硅片上生长有至少一层复合介质膜,所述复合介质膜为SiO<sub>2</sub>/Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>薄膜、Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>薄膜或SiO<sub>2</sub>/Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>中的至少一种组合形态的多层薄膜。本发明结构简单,制作方便快捷,成本低,有较高的热稳定性。本发明在压力膜片背面和上插芯凹槽底面生长复合介质膜,通过压力膜片与上插芯连接形成F-P谐振腔,匹配系统的反射率,这种组合复合介质膜不但热稳定性好,同时可以根据设计要求组合得到满足系统要求的反射率。
申请公布号 CN106323516A 申请公布日期 2017.01.11
申请号 CN201510402141.0 申请日期 2015.07.10
申请人 成都凯天电子股份有限公司 发明人 孙波;熊菠;梅运桥
分类号 G01L1/24(2006.01)I;G01L11/02(2006.01)I 主分类号 G01L1/24(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种带有复合介质薄膜的F‑P压力传感器,包括制有F‑P谐振腔的上插芯,与上插芯轴向固联为一体的下插芯和插入所述下插芯的光纤,以及覆盖在F‑P谐振腔端口的压力膜片,其特征在于:在所述压力膜片的背面以及F‑P谐振腔凹槽底部硅片上生长有至少一层复合介质膜,所述复合介质膜为SiO<sub>2</sub>/Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>薄膜、Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>薄膜或SiO<sub>2</sub>/Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>/ Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>中的至少一种组合形态的多层薄膜。
地址 610091 四川省成都市青羊区黄田坝
您可能感兴趣的专利