| 摘要 |
본 발명은 내열성이 우수하고 표면 저항도가 낮은 구리 합금을 게이트 물질로 이용한 간접 열 결정화 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 기판 위에 게이트 금속을 증착하고 패턴하여, 게이트 배선, 상기 게이트 배선의 일측 단부에 연결된 게이트 패드, 및 상기 게이트 배선에서 분기하는 게이트 전극을 포함하는 게이트 요소들을 패턴하는 단계와; 상기 게이트 요소들이 형성된 기판 위에 절연막 및 비정질 반도체 층을 연속으로 증착하고, 상기 비정질 반도체 층을 패턴하여 상기 게이트 전극과 중첩하는 비정질 반도체 채널층을 형성하는 단계와; 상기 비정질 반도체 채널층이 형성된 기판 위에 에치 스토퍼 층과 열전이 금속층을 연속으로 증착하고 패턴하여, 에치 스토퍼와 열 전이 패턴을 형성하는 단계와; 상기 열 전이 패턴의 표면에 적외선 레이저를 조사하여, 상기 비정질 반도체 체널층을 결정화하여 다결정 반도체 채널층을 형성하는 단계와; 그리고 상기 열 전이 패턴을 모두 제거하고, 비정질 불순물 반도체 층과 소스-드레인 금속을 연속으로 증착한 후 상기 소스-드레인 금속을 패턴하여 소스-드레인 요소를 형성하고, 상기 소스-드레인 요소를 마스크로 하여 상기 비정질 반도체 층을 패턴하여 오믹 접촉층을 완성하여 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함한다. |
