发明名称 一种倾斜入射高反射薄膜激光电场分布设计方法
摘要 本发明属于薄膜电场分布的设计技术领域,具体涉及一种倾斜入射高反射薄膜激光电场分布设计方法。本发明提供一种高反膜激光电场分布的设计方法,其预先设定薄膜材料的消光系数,通过数值优化高反膜膜系结构的吸收率,将吸收率控制到最小,即可实现对激光电场的分布,最终可以避免在薄膜界面出现强电场分布。通过实施上述方案,可以实现倾斜入射时高反射薄膜激光电场分布设计,它通过调整激光的电场分布,避免在薄膜界面出现强电场,可将吸收率控制到最小,有助于提高激光的抗损伤阈值和降低吸收损耗。
申请公布号 CN104330895B 申请公布日期 2017.01.11
申请号 CN201410721020.8 申请日期 2014.12.02
申请人 中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所 发明人 刘华松;季一勤;刘丹丹;王利栓;姜玉刚;姜承慧
分类号 G02B27/00(2006.01)I 主分类号 G02B27/00(2006.01)I
代理机构 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 代理人 刘东升
主权项 一种倾斜入射高反射薄膜激光电场分布设计方法,其特征在于,高反射薄膜的基本膜系结构为基底/(αHβL)^mαH 2βL/空气,主要包括基底、高折射率膜层H层,低折射率膜层L层,两层的物理厚度d<sub>H</sub>和d<sub>L</sub>,膜层堆数基本的光学厚度为λ<sub>0</sub>/4,α和β分别为高折射率与低折射率薄膜的厚度修正系数,m为基本膜堆(H L)的重复次数,m的取值决定于对激光反射率的要求;所述分布设计方法包括如下步骤:步骤S1:首先设定高折射率和低折射率薄膜材料的复折射率分别为N<sub>H</sub>=n<sub>H</sub>‑ik<sub>H</sub>和N<sub>L</sub>=n<sub>L</sub>‑ik<sub>L</sub>;n<sub>H</sub>和k<sub>H</sub>分别为高折射率材料的折射率与消光系数,n<sub>L</sub>和k<sub>L</sub>分别为低折射率材料的折射率与消光系数;步骤S2:计算得到H层和L层薄膜的光学厚度分别为αλ<sub>0</sub>/4和βλ<sub>0</sub>/4,α和β取决于激光工作的入射角θ<sub>0</sub>;高折射率和低折射率薄膜内的折射角θ<sub>H</sub>和θ<sub>L</sub>满足n<sub>0</sub>sinθ<sub>0</sub>=n<sub>H</sub>sinθ<sub>H</sub>=n<sub>L</sub>sinθ<sub>L</sub>;高折射率和低折射率薄膜的光学厚度系数为:高折射率膜层:α=n<sub>H</sub>/cosθ<sub>H</sub>和低折射率膜层:β=n<sub>L</sub>/cosθ<sub>L</sub>;步骤S3:根据反射率要求设定膜层基本膜堆的重复次数m值;步骤S4:将膜系结构修正为:基底/(αHβL)^(m‑2)αHβ<sub>1</sub>Lα<sub>1</sub>Hβ<sub>2</sub>Lα<sub>2</sub>H 2βL/空气;步骤S5:在膜系设计软件中输入设定参数:吸收率要求值A<sub>0</sub>;设计角度:AOI;参考波长:λ<sub>cw</sub>;H层折射率:n<sub>H</sub>;L层折射率:n<sub>L</sub>;H层消光系数:k<sub>H</sub>;L层消光系数:k<sub>L</sub>;输入步骤S4中的基本膜系结构;步骤S6:计算优化前吸收率A<sub>cw</sub>;步骤S7:除最外面保护层外,对接下来的外面四层的光学厚度进行优化,计算优化后的吸收率A<sub>cw</sub>’;步骤S8:若优化后的吸收率A<sub>cw</sub>’&gt;A<sub>0</sub>,不满足要求值;则需修改最外层保护膜除外的外面四层的物理厚度,重复步骤S7,直至吸收率A<sub>cw</sub>’小于要求值A<sub>0</sub>;步骤S9:优化完成后,激光电场就会自动调整,电场强度峰值避开界面,高折射率层内的电场相对最小。
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