| 发明名称 | 一种沟槽型SiC MOSFET用原胞 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种沟槽型SiC MOSFET用原胞，所述原胞的基区的下方及沟槽底部均设置有一个再掺杂区，所述再掺杂区的掺杂类型和所述基区保持一致，和漂移区的掺杂类型相反；基区下方的再掺杂区为B区域，B区域与基区相连；沟槽底部的再掺杂区为C区域，C区域设置在沟槽的正下方；所述再掺杂区的深度比原胞的沟槽深0.2‑1μm。本申请的沟槽型SiC MOSFET用原胞在原胞的基区下方(B区域)和沟槽底部(C区域)分别进行了再掺杂，B和C区域与漂移区形成相反的掺杂类型，在器件处于阻断情况下，在漂移区形成耗尽区，屏蔽沟槽底部的电场，从而保护了沟槽的底部和角落。 | ||
| 申请公布号 | CN205881911U | 申请公布日期 | 2017.01.11 |
| 申请号 | CN201620773343.6 | 申请日期 | 2016.07.21 |
| 申请人 | 北京世纪金光半导体有限公司 | 发明人 | 倪炜江 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人 | 尹振启;张宇锋 |
| 主权项 | 一种沟槽型SiC MOSFET用原胞，其特征在于，所述原胞的基区的下方及沟槽底部均设置有一个再掺杂区，所述再掺杂区的掺杂类型和所述基区保持一致，和漂移区的掺杂类型相反；基区下方的再掺杂区为B区域，B区域与基区相连；沟槽底部的再掺杂区为C区域，C区域设置在沟槽的正下方；所述再掺杂区的深度比原胞的沟槽深0.2‑1μm。 | ||
| 地址 | 101111 北京市通州区经济技术开发区通惠干渠路17号院 | ||