发明名称 半導体発光素子及びその製造方法
摘要 【課題】従来よりも光取り出し効率の向上した半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体発光素子は、第一半導体層と、活性層と、第二半導体層と、第一半導体層の面のうちの基板に近い側の面に接触して形成された電流遮断層と、第一半導体層の面のうちの前記基板に近い側の面であって、電流遮断層が形成されていない領域内の面に接触して形成された第一電極と、第二半導体層に接触し、基板の面に直交する方向に関して電流遮断層と対向する位置に形成された第二電極とを備える。電流遮断層は、Pd又はCuの少なくとも一方を含むAg合金で構成される。電流遮断層と第一半導体層との間の接触抵抗が、第一電極と第一半導体層との間の接触抵抗よりも高い。【選択図】 図1A
申请公布号 JP2017005156(A) 申请公布日期 2017.01.05
申请号 JP20150118917 申请日期 2015.06.12
申请人 ウシオ電機株式会社 发明人 杉山 徹
分类号 H01L33/14 主分类号 H01L33/14
代理机构 代理人
主权项
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