| 摘要 |
【課題】量産に適したテラヘルツ波用の導波路作製技術はまだ存在していない。特に１ＴＨｚよりも低い周波数のテラヘルツ波領域では、導波路の短辺が数１００μｍ程度まで長くなるため、導波路を形成するときの加工深さに関連する問題は深刻であって、テラヘルツ波用の集積回路を実現するときの大きな障害となっていた。【解決手段】本発明のテラヘルツ波導波回路では、２枚の基板を貼り合わせて中空構造の導波路を形成することで、形成が必要な溝の深さが従来技術の半分で済む。溝形成時の加工ズレ量を半分に抑制できる。これによって、中空構造の導波路を利用して作製されたフィルタでは、中心波長ズレを半分に抑制し、反射減衰量を抑制した導波回路を実現できる。さらに、溝を加工中の熱衝撃や導波回路を使用中の振動衝撃によって導波回路が割れてしまう問題が避けることもできる。より薄く、価格の安いＳｉ基板などを選択可能となり、より低い周波数側のテラヘルツ波領域用の導波回路も実現可能となる。【選択図】図１ |
