一种金属栅格的形成方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种应用于背照式图像传感器件的金属栅格的形成方法，包括：步骤S1、形成一抗反射层，覆盖所述金属层表面，并填充所述凹槽；步骤S2、去除位于对应所述光电二极管预制备区位置的所述抗反射层；步骤S3、于所述金属层及填充所述凹槽的所述抗反射层表面形成一光阻层；步骤S4、图形化所述光阻层；步骤S5、通过图形化的所述光阻层图形化位于所述光电二极管预制备区的所述金属层，以于所述光电二极管预制备区处的所述氧化物层表面形成多个金属栅格。通过一抗反射层填补制作金属垫过程中产生的沟壑，再通过刻蚀该抗反射层使得复合结构表面趋于平坦，便于后续金属栅格制程，简化工艺流程，节约成本。

主权项

一种金属栅格的形成方法，应用于制备背照式图像传感器件，其特征在于，提供一复合结构，所述复合结构包括：硅衬底，所述硅衬底包括凹槽和光电二极管预制备区；所述凹槽的底部下方填埋有金属互联层；第一介质层，覆盖所述光电二极管预制备区处的所述衬底的表面；氧化物层，覆盖所述凹槽的底部和侧壁，并且覆盖所述第一介质层的表面；开口，同时穿过所述凹槽内的所述氧化物层和所述凹槽的底部的所述衬底，终止于所述金属互联层；第二介质层，覆盖所述开口的侧壁，并向所述开口位于所述凹槽底部的周围的所述氧化物层延伸；金属层，覆盖所述氧化物层表面及所述第二介质层，并填充所述开口；金属垫，形成于所述凹槽内的所述金属层表面；所述方法包括：步骤S1、形成一抗反射层，覆盖所述金属层表面，并填充所述凹槽；步骤S2、去除位于对应所述光电二极管预制备区位置的所述抗反射层；步骤S3、于所述金属层及填充所述凹槽的所述抗反射层表面形成一光阻层；步骤S4、图形化所述光阻层；步骤S5、通过图形化的所述光阻层图形化位于所述光电二极管预制备区的所述金属层，以于所述光电二极管预制备区处的所述氧化物层表面形成多个金属栅格，并去除填充所述凹槽的所述抗反射层，以及去除所述凹槽侧壁的所述金属层。