| 发明名称 | 一种SiGe/Si外延片生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及一种SiGe/Si外延片生长方法，包括以下步骤：提供并清洗单晶Si衬底；在单晶Si衬底的外延生长面设置一碳纳米管层；在碳纳米管层的表面形成掺碳缓冲层，所述掺碳缓冲层中碳含量小于1％；在所述掺碳缓冲层的表面形成晶种缓冲层；在所述晶种缓冲层表面形成SiGe外延层。本发明通过引入碳纳米管层以及掺碳缓冲层共同作用，减少了外延生长过程中的位错，减少了外延片缺陷，提高了锗硅外延片质量。 | ||
| 申请公布号 | CN106298457A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610841188.1 | 申请日期 | 2016.09.22 |
| 申请人 | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 | 发明人 | 王文庆 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人 | 连平 |
| 主权项 | 一种SiGe/Si外延片生长方法，其特征在于，包括以下步骤：提供并清洗单晶Si衬底；在单晶Si衬底的外延生长面设置一碳纳米管层；在碳纳米管层的表面形成掺碳缓冲层，所述掺碳缓冲层中碳含量小于1％；在所述掺碳缓冲层的表面形成晶种缓冲层；在所述晶种缓冲层表面形成SiGe外延层。 | ||
| 地址 | 523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业工发区生产力大厦406 | ||