| 发明名称 |
一种高抗静电能力的LED外延结构 |
| 摘要 |
一种高抗静电能力的LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明LED外延结构从下至上依次包括蓝宝石衬底、Buffer缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述U型GaN层中掺杂Si元素，Si元素的掺杂浓度为1x10<sup>17</sup>cm<sup>3</sup>‑8x10<sup>17</sup>cm<sup>3</sup>。同现有技术相比，本发明能够提高芯片的抗静电能力，有效提高LED的亮度。 |
| 申请公布号 |
CN106299067A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
| 申请号 |
CN201510249763.4 |
申请日期 |
2015.05.18 |
| 申请人 |
南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
发明人 |
钱凯;杜小青;曹强;徐晶;吴梅梅 |
| 分类号 |
H01L33/32(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/32(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种高抗静电能力的LED外延结构，它从下至上依次包括蓝宝石衬底（1）、Buffer缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源区（5）、电子阻挡层（6）和P型GaN层（7），其特征在于：所述U型GaN层（3）中掺杂Si元素，Si元素的掺杂浓度为1x10<sup>17</sup> cm<sup>3</sup>‑8x10<sup>17 </sup>cm<sup>3</sup>。 |
| 地址 |
226015 江苏省南通市经济技术开发区东方大道499号 |
