发明名称 集成电路、前照式传感器、背照式传感器和三维集成电路
摘要 本发明的一些实施例涉及一种三维(3D)集成电路(IC)。3DIC包括第一衬底,该第一衬底包括配置为在第一方向上从光源接收光的光电检测器。互连结构设置在第一衬底上方并且包括以交替的方式彼此堆叠的多个金属层和绝缘层。多个金属层中的一个离光源最近,并且多个金属层中的另一个离光源最远。接合焊盘凹槽从离光源最近的3DIC的表面中的开口延伸至互连结构内并且终止在接合焊盘处。接合焊盘与3DIC的表面分隔开并且与多个金属层中的离光源最远的一个直接接触。本发明的实施例还提供了集成电路、前照式传感器和背照式传感器。
申请公布号 CN106298718A 申请公布日期 2017.01.04
申请号 CN201610474165.1 申请日期 2016.06.24
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 黄信耀;王俊智;杨敦年;洪丰基;王明璁;周世培
分类号 H01L23/488(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L23/488(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;李伟
主权项 一种集成电路(IC),包括:第一衬底,包括配置为在第一方向上从光源接收光的光电检测器;互连结构,位于所述第一衬底上方,并且所述互连结构包括以交替的方式彼此堆叠的多个金属层和绝缘层,其中,所述多个金属层中的一个金属层离所述光源最近,并且所述多个金属层中的另一个金属层离所述光源最远;以及接合焊盘凹槽,从所述集成电路的离所述光源最近的表面中的开口延伸至所述互连结构内并且终止在接合焊盘处,其中,所述接合焊盘与所述集成电路的所述表面间隔开并且与所述多个金属层的离所述光源最远的所述另一个金属层直接接触。
地址 中国台湾,新竹