一种相变存储单元及其制备方法

摘要

本发明公开了一种相变存储单元及其制备方法，包括自下而上依次设置的衬底、下电极、下绝热层、相变材料层、上绝热层和上电极，所述上电极还与所述相变材料膜电连接，其中，所述下绝热层具有主要由复数个四棱台状单元，特别是二氧化硅四棱台组成的周期性结构，所述相变材料层连续覆设在所述周期性结构上，并形成复数个凹槽结构。本发明易于制备，成本低廉，并且存储密度高，可充分满足相变存储器的应用需求。

主权项

一种相变存储单元，包括自下而上依次设置的衬底、下电极、下绝热层、相变材料层、上绝热层和上电极，所述上电极还与所述相变材料层电连接，其特征在于，所述下绝热层具有主要由复数个四棱台状单元组成的周期性结构，所述相变材料层连续覆设在所述周期性结构上，并形成复数个凹槽结构，每一上电极与一引出电极一端连接，所述引出电极另一端穿过上绝热层，并与所述相变材料层电性接触。