一种负载自偏置电流倍增型无源混频器

摘要

本发明公开了一种负载自偏置电流倍增型无源混频器，包括自偏置输入跨导级、无源本振开关以及低电压跨阻放大器。本发明通过增加一组差分对并复制共栅管的电流注入到负载，将下变频后的电流进行了倍增，提高了转换增益；并使用了负载自偏置技术，提高了负载阻值以进一步提升转换增益并抑制共模增益，使输出共模电平等于负载管栅极电压下移一个固定偏压，以适应低电源应用场合；此外为克服40nm晶体管沟道阻抗低对电流复制比例的影响，本发明对跨导级采用了自偏置技术，从PMOS跨导管阵列中分出一部分同时为开关管和负载级电路提供偏置电流，实现了低电压低、低功耗、低噪声和高转换增益的特点。

主权项

一种负载自偏置电流倍增型无源混频器，其特征在于：包括自偏置输入跨导级、无源本振开关和低电压跨阻放大器，其中，所述自偏置输入跨导级包括镜像PMOS跨导管和自偏置电路，自偏置电路设有自偏置PMOS跨导管，无源本振开关输入本振信号，自偏置输入跨导级的镜像PMOS跨导管与自偏置PMOS跨导管采用电容耦合的方式，通过无源本振开关共同为低电压跨阻放大器提供偏置电流，且通过形成的PMOS跨导管阵列分出部分电流同时为无源本振开关中的开关管和负载级电路提供偏置电流；所述低电压跨阻放大器为跨导增强结构，低电压跨阻放大器包括NMOS管共源放大器、PMOS管共栅管、差分对和负载自偏置电路，所述差分对包括PMOS管组成的跨导管，通过NMOS管共源放大器为PMOS管共栅管提升跨导，差分对的跨导管与PMOS管共栅管尺寸相同，并偏置在相同的直流电流下，差分对的栅极与PMOS共栅管的栅极相连，在跨导增强结构电路的作用下，PMOS管共栅管的源极相当于虚地，差分对中的跨导管复制PMOS管共栅管的电流并注入到负载，将下变频后的电流进行了倍增；所述负载自偏置电路包括PMOS管，负载自偏置电路通过注入直流电流的方式，使低电压跨阻放大器的输出共模电平等于负载管栅极电压下移一个固定偏压。