有机发光二极管显示器

摘要

本申请涉及有机发光二极管显示器，其包括：衬底；在所述衬底上的有机发光二极管；在所述有机发光二极管上并且包括高折射层的覆盖层，所述高折射层包含折射率等于或大于约1.7且等于或小于约6.0的无机材料；以及覆盖所述覆盖层和所述有机发光二极管的薄膜封装层，所述无机材料包括选自CuI、碘化铊(TlI)、BaS、Cu₂O、CuO、BiI、WO₃、TiO₂、AgI、CdI₂、HgI₂、SnI₂、PbI₂、BiI₃、ZnI₂、MoO₃、Ag₂O、CdO、CoO、Pr₂O₃、SnS、PbS、CdS、CaS、ZnS、ZnTe、PbTe、CdTe、SnSe、PbSe、CdSe、AlAs、GaAs、InAs、GaP、InP、AlP、AlSb、GaSb和InSb组成的组中的至少一种。

主权项

有机发光二极管显示器，包括：衬底；在所述衬底上的有机发光二极管；在所述有机发光二极管上并且包括高折射层的覆盖层，所述高折射层包含折射率等于或大于1.7且等于或小于6.0的无机材料；以及覆盖所述覆盖层和所述有机发光二极管的薄膜封装层，并且其中所述无机材料包括选自CuI、TlI、BaS、Cu₂O、CuO、BiI、WO₃、TiO₂、AgI、CdI₂、HgI₂、SnI₂、PbI₂、BiI₃、ZnI₂、MoO₃、Ag₂O、CdO、CoO、Pr₂O₃、SnS、PbS、CdS、CaS、ZnS、ZnTe、PbTe、CdTe、SnSe、PbSe、CdSe、AlAs、GaAs、InAs、GaP、InP、AlP、AlSb、GaSb和InSb组成的组中的至少一种。