| 发明名称 | 一种半导体薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：S101.提供基底；S102.在基底上形成薄膜；S103.在薄膜上通过涂胶、曝光和显影光刻自定义图形：光刻胶形成掩蔽层，在没有光刻胶的薄膜部分形成腐蚀窗口；S104.真空条件下，对腐蚀窗口内的薄膜进行湿法腐蚀；S105.去除显影后剩余的光刻胶。本发明有效解决了腐蚀过程中气泡残留的问题，保证了腐蚀的均匀性，提高了产品的整体良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN106298495A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610948584.4 | 申请日期 | 2016.11.02 |
| 申请人 | 苏州同冠微电子有限公司 | 发明人 | 王友伟 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人 | 曹军 |
| 主权项 | 一种半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：S101.提供基底；S102.在基底上形成薄膜；S103.在薄膜上通过涂胶、曝光和显影光刻自定义图形：光刻胶形成掩蔽层，在没有光刻胶的薄膜部分形成腐蚀窗口；S104.真空条件下，对腐蚀窗口内的薄膜进行湿法腐蚀；S105.去除显影后剩余的光刻胶。 | ||
| 地址 | 215600 江苏省苏州市张家港经济技术开发区南区南园路和新丰东路交叉口 | ||