发明名称 |
一种肖特基二极管及制作方法 |
摘要 |
本发明提供了一种肖特基二极管及制作方法,其中,肖特基二极管的制作方法包括:制成N型重掺杂衬底;在N型重掺杂衬底的一侧上依次制作M层掺杂浓度不同的N型外延层,其中,与N型重掺杂衬底相接触的为第一个N型外延层,距离N型重掺杂衬底最远的为第M个N型外延层,第一个N型外延层至第M-1个N型外延层的掺杂浓度依次增大,第M个N型外延层的掺杂浓度低于或等于第一个N型外延层的掺杂浓度,M为大于等于3的正整数;在N型外延层的基础上依次制作多晶硅层、接触层和金属层。本发明使得肖特基二极管中两个沟槽中线位置处电场均匀,并且使得沟槽底部及侧壁不会提前击穿,提高了肖特基二极管的耐压性能。 |
申请公布号 |
CN106298975A |
申请公布日期 |
2017.01.04 |
申请号 |
CN201510289005.5 |
申请日期 |
2015.05.29 |
申请人 |
北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
发明人 |
赵圣哲;李理;马万里 |
分类号 |
H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/872(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
许静;安利霞 |
主权项 |
一种肖特基二极管的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:制成N型重掺杂衬底;在所述N型重掺杂衬底的一侧上依次制作M层掺杂浓度不同的N型外延层,其中,与所述N型重掺杂衬底相接触的为第一个N型外延层,距离所述N型重掺杂衬底最远的为第M个N型外延层,所述第一个N型外延层至第M-1个N型外延层的掺杂浓度依次增大,所述第M个N型外延层的掺杂浓度低于或等于所述第一个N型外延层的掺杂浓度,M为大于等于3的正整数;在N型外延层的基础上依次制作多晶硅层、接触层和金属层。 |
地址 |
100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦808室 |