| 发明名称 | 一种室温溅射法制备二氧化钛薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种室温溅射法制备二氧化钛薄膜的方法，采用直流磁控溅射法制备不同结晶度二氧化钛薄膜，其中靶材为纯钛靶，本底真空度在10<sup>‑4 </sup>Pa以下，溅射气体为氩气和氧气，总压强为0.5～2.5 Pa，氧分压为50%以下，靶材与基材的距离为7～20 cm，初始基材温度为15～35℃，施加于所述靶材上的直流电源的功率为300～900W，沉积时间为5～30分钟，获得完全非晶或部分结晶的二氧化钛薄膜。本发明的方法薄膜制备条件温和，设备简单，节约资源能源。 | ||
| 申请公布号 | CN106282926A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
| 申请号 | CN201610876611.1 | 申请日期 | 2016.09.30 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 金平实;黄爱彬;雷磊;周奕杰;包山虎 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 郑优丽;熊子君 |
| 主权项 | 一种室温溅射法制备二氧化钛薄膜的方法，其特征在于，采用直流磁控溅射法制备不同结晶度二氧化钛薄膜，其中靶材为纯钛靶，本底真空度在10<sup>‑4 </sup>Pa以下，溅射气体为氩气和氧气，总压强为0.5～2.5 Pa，氧分压为50 %以下，靶材与基材的距离为7～20 cm，初始基材温度为 15～35 ℃，施加于所述靶材上的直流电源的功率为 300～900 W，沉积时间为5～30分钟，获得完全非晶或部分结晶的二氧化钛薄膜。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||