发明名称 | 一种图形化导电薄膜的制备方法 | ||
摘要 | 一种图形化导电薄膜的制备方法,首先在衬底上采用点胶工艺形成预定图形的聚合物掩模,然后对该衬底进行氧等离子或是紫外光照射处理以提高亲水性,再通过溶液工艺在附有所述聚合物掩模的衬底上制备导电薄膜,最后将该聚合物掩模从所述衬底上剥离,从而得到图形化的导电薄膜。本发明中的聚合物掩模图形可由自动化点胶设备中软件的自由设计,所得到的导电薄膜可满足溶液工艺生产的电子器件小批量、多样性的需求,使电子器件的生产更为灵活;所形成的掩模图形方法简单,并能够兼容导电薄膜的溶液工艺,降低了导电薄膜图形化的工艺复杂程度;在图形化过程中,所需的图形化导电薄膜表面没有其他材料覆盖,减少了清洗覆盖材料的步骤,避免了清洗时对导电薄膜的损伤。 | ||
申请公布号 | CN106298070A | 申请公布日期 | 2017.01.04 |
申请号 | CN201610749830.3 | 申请日期 | 2016.08.29 |
申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 郭小军;陈苏杰;唐伟;丁立 |
分类号 | H01B13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 祖志翔 |
主权项 | 一种图形化导电薄膜的制备方法,其特征在于,首先在衬底上采用点胶工艺形成预定图形的聚合物掩模,然后对该衬底进行氧等离子或是紫外光照射处理以提高亲水性,再通过溶液工艺在附有所述聚合物掩模的衬底上制备导电薄膜,最后将该聚合物掩模从所述衬底上剥离,从而得到图形化的导电薄膜。 | ||
地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 |