发明名称 FinFET STRUCTURES AND FORMATION METHODS OF FINFET DEVICE
摘要 본 개시는 반도체 소자에 관한 것이다. 예시적인 반도체 소자는 반도체 기판, 및 반도체 기판 위의 격리 구조체를 포함한다. 반도체 소자는 또한, 반도체 기판 위에 제1 에피택셜 핀 및 제2 에피택셜 핀을 포함하고, 제1 에피택셜 핀 및 제2 에피택셜 핀은 격리 구조체로부터 돌출한다. 반도체 소자는 또한, 제1 에피택셜 핀 및 제2 에피택셜 핀 위에 있고 제1 에피택셜 핀 및 제2 에피택셜 핀을 가로지르는 게이트 스택을 포함한다. 또한, 반도체 소자는 격리 구조체의 상부 표면으로부터 연장하는 리세스를 포함한다. 리세스는 제1 에피택셜 핀 및 제2 에피택셜 핀 사이에 있다.
申请公布号 KR101688699(B1) 申请公布日期 2017.01.02
申请号 KR20140183014 申请日期 2014.12.18
申请人 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 发明人 라이 윙 후아;창 치아 밍;치앙 트성 유;첸 쿠앙 흐신
分类号 H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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