低损耗温度稳定型微波介电陶瓷LiGaSn₃O₈

摘要

本发明公开了一种低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiGaSn₃O₈及其制备方法。(1)将纯度为99.9％(重量百分比)以上的Li₂CO₃、Ga₂O₃和SnO₂的原始粉末按LiGaSn₃O₈的组成称量配料；(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时；(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在1150～1200℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3％。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好，介电常数达到11.2～11.9，其品质因数Qf值高达88000‑112000GHz，谐振频率温度系数小，在工业上有着极大的应用价值。

主权项

一种高品质因数温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷，其特征在于所述微波介电陶瓷的化学组成为：LiGaSn₃O₈；所述微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为：(1)将纯度为99.9％(重量百分比)以上的Li₂CO₃、Ga₂O₃和SnO₂的原始粉末按LiGaSn₃O₈的组成称量配料；(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时；(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在1150～1200℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5％的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇添加量占粉末总质量的3％。