一种适用于交叉阵列的自选择阻变存储器及其读取方法

摘要

本发明公布了一种适用于交叉阵列的自选择阻变存储器及其读取方法。本发明的自选择阻变存储器采用较薄的活性电极，具有挥发性低阻态，结合较小的限流值和特定的读写操作，在交叉阵列中应用可以抑制泄漏电流，实现阻变单元的无选择管高密度集成。

主权项

一种自选择阻变存储器，具有挥发性低阻态，包括底电极、顶电极和位于底电极与顶电极之间的阻变介质层，其特征在于，所述阻变介质层的材料为过渡金属氧化物；顶电极和底电极中一个为活性电极，另一个为惰性电极；在活性电极一侧具有电极引出层；所述活性电极的厚度在5～50nm，其材料能够吸收阻变介质层中的氧元素，使阻变介质层中形成氧空位；所述惰性电极采用惰性材料，不会吸收阻变介质层中的氧元素。