| 发明名称 | 电熔丝于绝缘体上半导体构造 | ||
| 摘要 | 本发明涉及电熔丝于绝缘体上半导体构造，具体涉及一种形成具有熔丝的半导体装置的方法，包括：提供绝缘体上半导体(SOI)结构，其中该绝缘体上半导体结构包括绝缘层以及形成于该绝缘层上的半导体层；形成增高半导体区于该半导体层上并邻近该半导体层的中间部分；执行硅化制程于该半导体层的该中间部分及该增高半导体区，以形成硅化半导体层及硅化增高半导体区。 | ||
| 申请公布号 | CN106169465A | 申请公布日期 | 2016.11.30 |
| 申请号 | CN201610344427.2 | 申请日期 | 2016.05.23 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | J·霍恩切尔;P·巴尔斯;H-P·莫尔 |
| 分类号 | H01L23/62(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/62(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种形成具有熔丝(fuse)的半导体装置之方法，包括：提供绝缘体上半导体(Semiconductor‑on‑insulater,SOI)结构，其中该绝缘体上半导体结构包括绝缘层以及形成于该绝缘层上的半导体层；形成增高半导体区于该半导体层上并邻近该半导体层的中间部分；以及执行硅化制程于该半导体层的该中间部分及该增高半导体区，以形成硅化半导体层及硅化增高半导体区。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||