| 发明名称 |
铝栅CMOS双层金属布线的版图结构 |
| 摘要 |
本实用公开了一种铝栅CMOS双层金属布线的版图结构。其包括：叠加在MOS晶体管层之上，通过通孔实现电路连接的第一金属层；叠加在第一金属层之上，通过制作通孔进行电路连接的第二金属层以及设置在第一金属层和第二金属层之间的绝缘介质隔离层。所述第二金属层可以只用作压焊点设计。当需要时，所述第二金属层亦可通过制作通孔进行其它电路连接，完成集成电路内部电路设计。所述制作连接第一金属层和第二金属层的通孔(via)结构，具有工艺简单可靠的特点。使用该双层金属布线的制作工艺和结构方式，可有效的提高铝栅CMOS集成度，降低生产成本，使产品具有良好的市场竞争力。 |
| 申请公布号 |
CN205752106U |
申请公布日期 |
2016.11.30 |
| 申请号 |
CN201620169331.2 |
申请日期 |
2016.03.07 |
| 申请人 |
陈军建 |
发明人 |
陈军建 |
| 分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
铝栅CMOS双层金属布线的版图结构，其特征在于，所述版图结构包括：第一金属层、层叠在第一金属层上的第二金属层以及设置在第一金属层和第二金属层之间的绝缘介质隔离层。 |
| 地址 |
050700 河北省新乐市彭家庄乡小宅村新庄北小街1排1号 |
