半导体装置的制造方法

摘要

得到如下半导体装置的制造方法，即，能够在半导体装置的配线层全部形成之前实施测试，能够针对晶体管单体进行测试，而不依赖于半导体装置的电路结构。在衬底(1)之上彼此独立地形成晶体管(2、3)、电路元件(4、5)以及多个接触焊盘(6a～6f)各自的底层配线。在形成有底层配线的衬底(1)之上的整个面形成第1供电层(14)。对第1供电层(14)进行图案化，形成使晶体管(2、3)的各端子与电路元件(4、5)独立并且分别与不同的接触焊盘连接的测试图案(25～28)。使用接触焊盘和测试图案，针对晶体管(2、3)单体进行测试。在测试之后，将晶体管(2、3)和电路元件(4、5)连接而形成电路。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序，即：在衬底之上彼此独立地形成晶体管、电路元件以及多个接触焊盘各自的底层配线；在形成有所述底层配线的所述衬底之上的整个面形成第1供电层；对所述第1供电层进行图案化，形成使所述晶体管的各端子与所述电路元件独立并且分别与不同的所述接触焊盘连接的测试图案；使用所述接触焊盘和所述测试图案，针对所述晶体管单体进行测试；以及在所述测试之后，将所述晶体管和所述电路元件连接而形成电路。