| 摘要 |
트렌치 없는 이미터 영역을 갖는 태양 전지를 제조하는 방법이 기술된다. 일 예에서, 태양 전지는 기판을 포함한다. 얇은 유전체 층이 기판의 배면 표면의 일부분 상에 배치된다. 제1 다결정 규소 이미터 영역은 얇은 유전체 층의 제1 부분 상에 배치되고 제1 전도형의 불순물로 도핑된다. 제2 다결정 규소 이미터 영역은 얇은 유전체 층의 제1 부분 상에 배치된 제1 다결정 규소 이미터 영역에 근접한 얇은 유전체 층의 제2 부분 상에 배치된다. 제2 다결정 규소 이미터 영역은 반대인 제2 전도형의 불순물로 도핑된다. 제1 전도형의 불순물의 총 농도는 제2 전도형의 불순물의 총 농도보다 적어도 10배 크다. |
