形成半导体设备的方法

摘要

一种形成半导体设备的方法，该半导体设备包括集成电路以及与集成电路操作地联接的微机电系统(MEMS)设备，该方法包括：形成导电通道，该导电通道从基板的第一主表面朝向基板的相反的第二主表面至少部分地延伸穿过基板；以及将集成电路的至少一部分制造在基板的第一主表面上。MEMS设备设置在基板的第二主表面上，并且使用至少一个导电通道将MEMS设备与集成电路操作地联接。使用这种方法制造的结构和设备。

主权项

一种形成半导体设备的方法，所述半导体设备包括集成电路以及与所述集成电路操作地联接的MEMS设备，该方法包括：形成导电通道，所述导电通道从基板的第一主表面朝向所述基板的相反的第二主表面至少部分地延伸穿过所述基板；将集成电路的至少一部分制造在所述基板的所述第一主表面上；以及将MEMS设备设置在所述基板的所述第二主表面上，并且使用至少一个所述导电通道将所述MEMS设备与所述集成电路操作地联接，其中，将MEMS设备设置在所述基板的所述第二主表面上包括：将所述MEMS设备的至少一部分一体地形成在所述基板的所述第二主表面上；其中，将所述MEMS设备的所述至少一部分一体地形成在所述基板的所述第二主表面上包括：在所述基板的所述第二主表面中形成至少一个换能器腔室凹槽；以及将换能器设置在所述基板的所述第二主表面上位于所述换能器腔室凹槽之上；其中，将换能器设置在所述基板的所述第二主表面上位于所述换能器腔室凹槽之上包括：将SOI型结构结合至所述基板的所述第二主表面，所述SOI型基板包括结合至相对厚的块材料体积的相对薄的材料层，在所述相对薄的材料层与所述相对厚的块材料体积之间具有中间材料；移除所述SOI型结构的一部分，并且留下所述相对薄的材料层结合至所述基板的所述第二主表面；以及将一部分所述相对薄的材料层配置在所述换能器腔室凹槽之上以包括所述换能器的至少一部分。