具有两个辅助发射极导体路径的半导体模块

摘要

半导体模块（10）包括：至少一个半导体芯片（12），其包括至少一个半导体开关（14），该至少一个半导体开关（14）具有集电极（18）、发射极（22）和栅极（20）；集电极端子（24），其连接到集电极（18）；栅极端子（26），其连接到栅极（20）；发射极端子（28），其经由具有发射极电感（32）的发射极导体路径（30）连接到发射极（22）；辅助发射极端子（38），其连接到发射极（22）；第一导体路径（34），其连接到发射极（22）；和第二导体路径（36），其连接到发射极（22）具有与第一导体路径（34）不同的与发射极导体路径（30）的互感耦合。第一导体路径（34）和第二导体路径（36）能连接到辅助发射极端子（38）和/或第一导体路径（34）连接到辅助发射极端子（38）并且第二导体路径（36）连接到第二辅助发射极端子（44）。半导体开关（14）是IGBT，并且第一导体路径（34）和第二导体路径（36）中的每个包括桥接点（40），用于使相应导体路径连接到辅助发射极端子（38）。

主权项

一种半导体模块（10），其包括：至少一个半导体芯片（12），其包括至少一个半导体开关（14），所述至少一个半导体开关（14）具有集电极（18）、发射极（22）和栅极（20）；集电极端子（24），其连接到所述集电极（18）；栅极端子（26），其连接到所述栅极（20）；发射极端子（28），其经由具有发射极电感（32）的发射极导体路径（30）连接到所述发射极（22）；辅助发射极端子（38），其连接到所述发射极（22）；第一导体路径（34），其连接到所述发射极（22）；第二导体路径（36），其连接到所述发射极（22）并且具有与所述第一导体路径（34）不同的与所述发射极导体路径（30）的互感耦合；所述第一导体路径（34）和所述第二导体路径（36）能连接到所述辅助发射极端子（38）；和/或所述第一导体路径（34）连接到所述辅助发射极端子（38）并且所述第二导体路径（36）连接到第二辅助发射极端子（44），其中所述半导体开关（14）是IGBT，并且其中所述第一导体路径（34）和所述第二导体路径（36）中的每个包括桥接点（40），用于使相应导体路径连接到所述辅助发射极端子（38）。