发明名称 一种新型金属封装型MOS三极管
摘要 一种新型金属封装型MOS三极管,其特征在于:包括固定翼板、金属帽、固定螺钉孔和半导体芯片,固定翼板前表面中部设置有金属帽,固定翼板上下对称设置有固定螺钉孔,金属帽内部设置有半导体芯片,半导体芯片上设置有漏极,漏极下侧设置有栅极,栅极下侧设置有源极,固定翼板后表面中部设置有金属封装盖,金属封装盖上设置有极柱伸出口,有益效果在于:导通压降小,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,热阻特性好,适合大功率并联,可以在微电流、低电压条件下工作,且便于集成。
申请公布号 CN205723493U 申请公布日期 2016.11.23
申请号 CN201620363166.4 申请日期 2016.04.27
申请人 王兴 发明人 王兴
分类号 H01L23/04(2006.01)I 主分类号 H01L23/04(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种新型金属封装型MOS三极管,其特征在于:包括固定翼板、金属帽、固定螺钉孔和半导体芯片,固定翼板前表面中部设置有金属帽,固定翼板上下对称设置有固定螺钉孔,金属帽内部设置有半导体芯片,半导体芯片上设置有漏极,漏极下侧设置有栅极,栅极下侧设置有源极,固定翼板后表面中部设置有金属封装盖,金属封装盖上设置有极柱伸出口。
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