| 发明名称 | 超结型功率管的缓冲层的制备方法和超结型功率管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种超结型功率管的缓冲层的制备方法和超结型功率管，其中，超结型功率管的缓冲层的制备方法，包括：在形成N型外延层的N型衬底上形成缓冲槽，所述缓冲槽的深度小于所述N型外延层的厚度，与所述缓冲槽接触的所述N型外延层即构成所述超结型功率管的导电沟道；在所述缓冲槽内形成介质层；在形成所述介质层的所述缓冲槽内形成P型多晶硅层，以完成所述超结型功率管的缓冲层的制备，其中，所述介质层的表层在所述P型多晶硅层和所述N型外延层的感应作用下产生空穴载流子以保证所述导电沟道内电荷平衡。通过本发明的技术方案，实现了超结型功率管的低成本的批量生产，同时保证了超结型功率管的耐高压特性和器件可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN106158659A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201510199763.8 | 申请日期 | 2015.04.23 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 赵圣哲 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人 | 尚志峰;汪海屏 |
| 主权项 | 一种超结型功率管的缓冲层的制备方法，其特征在于，包括：在形成N型外延层的N型衬底上形成缓冲槽，所述缓冲槽的深度小于所述N型外延层的厚度，与所述缓冲槽接触的所述N型外延层即构成所述超结型功率管的导电沟道；在所述缓冲槽内形成介质层；在形成所述介质层的所述缓冲槽内形成P型多晶硅层，以完成所述超结型功率管的缓冲层的制备，其中，所述介质层的表层在所述P型多晶硅层和所述N型外延层的感应作用下产生空穴载流子以保证所述导电沟道内电荷平衡。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||