发明名称 |
低温下制备具有高度(001)择优取向的钌酸锶薄膜的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种低温下制备具有高度(001)择优取向的钌酸锶薄膜的方法,以硅片为衬底,引入LaNiO<sub>3</sub>缓冲层后采用SrRuO<sub>3</sub>靶材在400~600℃的温度范围内溅射获得所述具有高度(001)择优取向的SrRuO<sub>3</sub>薄膜。 |
申请公布号 |
CN104419895B |
申请公布日期 |
2016.11.16 |
申请号 |
CN201310407759.7 |
申请日期 |
2013.09.09 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
董显林;李涛;王根水;陈莹 |
分类号 |
C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/08(2006.01)I |
代理机构 |
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 |
代理人 |
曹芳玲;郑优丽 |
主权项 |
一种低温下制备具有高度(001)择优取向的SrRuO<sub>3</sub>薄膜的方法,其特征在于,以硅片为衬底,引入LaNiO<sub>3</sub>缓冲层后采用SrRuO<sub>3</sub>靶材在400~600℃的温度范围内溅射获得所述具有高度(001)择优取向的SrRuO<sub>3</sub>薄膜;所述方法包括:利用直流溅射的方式沉积LaNiO<sub>3</sub>缓冲层:将洗净的硅衬底放入溅射仪中,抽真空至10<sup>‑</sup><sup>4</sup>Pa以下;保持所述硅衬底的温度在300~450℃;通入氧气与氩气作为溅射气体,控制氧分压为15~25%,并使溅射气体的总气压保持在2.5~3.5Pa,采用LaNiO<sub>3</sub>靶材利用直流溅射的方式沉积LaNiO<sub>3</sub>薄膜,其中溅射功率为70~90W,溅射时间为10~20分钟;以及采用射频磁控溅射的方式沉积SrRuO<sub>3</sub>薄膜:将上述沉积有LaNiO<sub>3</sub>缓冲层的硅衬底升温至400~600℃,控制溅射气体的总气压为5~20Pa,且氧分压为20~50%,采用SrRuO<sub>3</sub>靶材利用射频磁控溅射的方式沉积SrRuO<sub>3</sub>薄膜,其中溅射功率为60~90W。 |
地址 |
200050 上海市长宁区定西路1295号 |