| 发明名称 | 反应烧结制备碳化硅/二硅化钼复合陶瓷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种反应烧结制备碳化硅/二硅化钼复合陶瓷的方法，包括以下步骤：A、配制主原料：主原料由以下重量含量的成分组成：65％～75％的SiC、10％～15％的钼、15％～25％的石墨；B、将主原料均匀混合后，加入作为粘结剂的聚乙烯醇、作为分散剂的四甲基氢氧化铵，机械球磨制备碳化硅复合粉体；C、将造粒粉置于模具中采用干压一次成型，得坯体；D、将上述坯体在石墨板上整齐摆放，然后在坯体上摆放金属硅片，坯体与金属硅片的重量比1：2.5～3.5，于1500～1600℃进行高温渗硅烧结，烧结时间为3～6小时，得碳化硅/二硅化钼复合陶瓷。 | ||
| 申请公布号 | CN106116584A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610411966.3 | 申请日期 | 2016.06.13 |
| 申请人 | 台州东新密封有限公司 | 发明人 | 郭兴忠;杨辉;郑浦;高黎华 |
| 分类号 | C04B35/565(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人 | 金祺 |
| 主权项 | 反应烧结制备碳化硅/二硅化钼复合陶瓷的方法，其特征是包括以下步骤：A、配制主原料：主原料由以下重量含量的成分组成：65％～75％的SiC、10％～15％的钼、15％～25％的石墨；B、将主原料均匀混合后，加入作为粘结剂的聚乙烯醇、作为分散剂的四甲基氢氧化铵，机械球磨制备碳化硅复合粉体；所述聚乙烯醇占主原料总重的4.0％，四甲基氢氧化铵占主原料总重的1.5％；C、将造粒粉置于模具中采用干压一次成型，得坯体；D、将上述坯体在石墨板上整齐摆放，然后在坯体上摆放金属硅片，坯体与金属硅片的重量比1：2.5～3.5，于1500～1600℃进行高温渗硅烧结，烧结时间为3～6小时，得碳化硅/二硅化钼复合陶瓷。 | ||
| 地址 | 317015 浙江省台州市临海上盘镇北洋工业园12路1号 | ||