| 摘要 |
반도체 소자 제조 방법에서, 기판 상에 게이트 구조물을 형성한다. 게이트 구조물에 인접한 기판의 부분 상에 실리콘을 포함하는 에피택시얼(epitaxial) 층을 형성한다. 게이트 구조물을 이온 주입 마스크로 사용하여, 에피택시얼 층 및 기판 상부에 불순물 및 탄소를 주입함으로써, 각각 올려진 소스 드레인(ESD) 층 및 불순물 영역을 형성한다. ESD 층 상에 금속 실리사이드막을 형성한다. 불순물 영역은 충분한 탄소를 포함하므로, 채널 영역에 인장력을 인가하여 전자의 이동도가 향상된다. |
