| 发明名称 | 肖特基二极管用外延片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种肖特基二极管用外延片及其制备方法。该二极管外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nGaN层一侧的另一侧面上的InAlN帽层，其中，所述的衬底为带有AlN盖层的蓝宝石平片衬底，所述的SiNx模板层是在GaN二维生长层的背离所述衬底一侧的另一侧面上使用SiH<sub>4</sub>和NH<sub>3</sub>原位生长形成的，所述SiNx层的厚度低于一个原子层的厚度。利用本发明的外延片制成的肖特基二极管终端器件的漏电较低、使用寿命长，减小了电流密度、提高了器件的反向击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN106098793A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201610496968.7 | 申请日期 | 2016.06.30 |
| 申请人 | 江苏能华微电子科技发展有限公司 | 发明人 | 王东盛;朱廷刚;李亦衡;张葶葶;王科;李仕强;张子瑜 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 孙仿卫;徐伟华 |
| 主权项 | 一种肖特基二极管用外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，其特征在于，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nGaN层一侧的另一侧面上的InAlN帽层，其中，所述的衬底为带有AlN盖层的蓝宝石平片衬底，所述的SiNx模板层是在GaN二维生长层的背离所述衬底一侧的另一侧面上使用SiH<sub>4</sub>和NH<sub>3</sub>原位生长形成的，所述SiNx层的厚度低于一个原子层的厚度。 | ||
| 地址 | 215600 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号科技创业园（能华微电子） | ||