发明名称 一种自组装石墨烯场效应管型生化传感器制造方法
摘要 本发明公开一种自组装石墨烯场效应管型生化传感器制造方法,该方法包括如下步骤:制备单晶硅衬底;在所述单晶硅衬底的上制作牺牲层;在所述牺牲层上制作石墨烯层;在所述石墨烯层上制作介电层;在所述介电层和单晶硅衬底上制作栅电极,在所述单晶硅衬底和石墨烯层上制作漏电极和源电极,所述栅电极、漏电极、源电极、石墨烯层和介电层组成二维石墨烯场效应管;在所述二维石墨烯场效应管上制作SU‑8应力层;根据SU‑8的特性使所述二维石墨烯场效应管自组装为三维石墨烯场效应管。
申请公布号 CN106093150A 申请公布日期 2016.11.09
申请号 CN201610416542.6 申请日期 2016.06.14
申请人 北京交通大学 发明人 邓涛;张兆浩;刘泽文
分类号 G01N27/26(2006.01)I 主分类号 G01N27/26(2006.01)I
代理机构 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人 付生辉;白淑贤
主权项 一种自组装石墨烯场效应管型生化传感器制造方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:制备单晶硅衬底(1),将所述单晶硅衬底(1)分为第一部分和第二部分;步骤2:在所述单晶硅衬底(1)第二部分上表面上制作牺牲层(2);步骤3:在所述牺牲层(2)上制作石墨烯层(3);步骤4:在所述石墨烯层(3)上制作介电层(5);步骤5:在步骤4中所述单晶硅衬底(1)和介电层(5)上制作栅电极(6),单晶硅衬底(1)和石墨烯层(3)上制备漏电极(4)和源电极(7);其中,所述栅电极(6)、漏电极(4)、源电极(7)、石墨烯层(3)和介电层(5)组成二维石墨烯场效应管;步骤6:在步骤5中制备样品的二维石墨烯场效应管上旋涂SU‑8光刻胶;再依次利用紫外线不充分曝光、热处理以及显影技术图形化SU‑8应力层(8);步骤7:刻蚀步骤6中得到的样品的牺牲层(2)并对第二部分单晶硅衬底(1)进行划片处理。步骤8:将划片后覆盖有SU‑8应力层(8)的平面二维石墨烯场效应管器件置于分析纯丙酮溶液中处理,处理时间不少于8小时;步骤9:将丙酮处理后的覆盖有SU‑8应力层(8)的平面二维石墨烯场效应管置于体积比为1:1的丙酮和去离子水混合液或空气中进行自组装。
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