发明名称 Method for reducing the content of nitrogen of Silicon Carbide Powder and Silicon carbide single crystal thereof
摘要 본 발명은 탄화규소 분말의 질소함유량을 감소시키는 방법 및 이에 의해 제조된 탄화규소 단결정에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 탄화규소 분말의 질소함유량을 100 ppm 이하로 낮출 수 있고, 이를 이용하여 탄화규소 단결정 성장시 10ohm-cm 이상의 고저항 탄화규소 단결정의 수득이 가능하다.
申请公布号 KR101674585(B1) 申请公布日期 2016.11.09
申请号 KR20150009672 申请日期 2015.01.21
申请人 한국세라믹기술원 发明人 서원선;김영희;이명현;김수룡;권우택;신동근;정은진;정성민;권용진
分类号 C30B23/00;C30B29/36 主分类号 C30B23/00
代理机构 代理人
主权项
地址